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高石半导体

GMT180P02D

Trench MOSFET·DFN2×2

参数
初选参考,设计以规格书为准
VDS-20 V
VGS max±12 V
RDS(on) max18 mΩ
RDS(on) typ14.2 mΩ
ID-10 A
Qg typ33 nC
封装DFN2×2
典型替代料号
  • 永源微 AP20P01BF

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