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高石半导体

GMT201P06H1

Trench MOSFET·SOT-23

参数
初选参考,设计以规格书为准
VDS-60 V
VGS max±20 V
RDS(on) max200 mΩ
RDS(on) typ122 mΩ
ID-1.8 A
Qg typ9.5 nC
封装SOT-23
典型替代料号
  • AP6P250N
应用场景

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