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高石半导体

GMT201P06H1

Trench MOSFET·SOT-23

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参数
初选参考
VDS-60 V
VGS max±20 V
RDS(on) max200 mΩ
RDS(on) typ122 mΩ
ID-1.8 A
Qg typ9.5 nC
封装SOT-23
可替代参考型号
  • 富鼎 AP6P250N
  • 英飞凌 BSS314PE
  • 英飞凌 BSS83I
  • 英飞凌 IRLML5103
应用场景

* 直接替代:封装管脚一致,可直接换上。等效替代:可原位焊接,须上板验证。功能替代:须改线路或降额使用。最终规格请以规格书为准。

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