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高石半导体

GMT050N03F

Trench MOSFET·PDFN3×3

参数
初选参考,设计以规格书为准
VDS30 V
VGS max±20 V
RDS(on) max4.8 mΩ
RDS(on) typ3.6 mΩ
ID90 A
Qg typ42 nC
封装PDFN3×3
典型替代料号
  • 4.2
  • 5.0
  • 仁懋:MOT3148J

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