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高石半导体

GMT077P02F

Trench MOSFET·PDFN3×3

参数
初选参考,设计以规格书为准
VDS-20 V
VGS max±12 V
RDS(on) max5.5 mΩ
RDS(on) typ4.8 mΩ
ID-50 A
Qg typ59 nC
封装PDFN3×3
典型替代料号
  • 永源微 AP50P02DF

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