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高石半导体

GMT078P02F1

Trench MOSFET·PDFN5×6

参数
初选参考,设计以规格书为准
VDS-20 V
VGS max±12 V
RDS(on) max7.8 mΩ
RDS(on) typ5.8 mΩ
ID-60 A
Qg typ59 nC
封装PDFN5×6
典型替代料号
  • 铨力微:AP60P20G
应用场景

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